LN 铌酸锂 / LT 钽酸锂晶片，按工序分
这两类压电晶体属于脆性光学单晶，硬度中等、极易产生亚表面裂纹、划伤，工艺分段非常清晰1、粗研磨（研磨 / 开片、减薄粗磨）---绿碳化硅GC微粉
绿碳化硅GC微粉（W7、W10 这类中粗粒度） 切片后快速去掉锯痕、大余量去除；切削快、自锐好；只粗磨，不能直接做精磨，容易留下很深损伤层，后面要长时间精抛修复。
2、双面研磨精研磨--FO 抛光粉及国产平替FO氧化铝基研磨复合粉
行业主流：FUJIMI FO 系列氧化铝（FO1200 最常用）
· 作用：控制 TTV总厚度偏差、把表面均匀磨到预定厚度，同时把损伤层控制得很浅，给后面 CMP 减负；· 特点：磨削力柔和、颗粒形貌圆润、批次稳定、划痕可控；全球SAW滤波器、光调制器衬底厂大量在用FO1200；
· 国产替代路线：海旭磨料工厂最近研发成功的氧化铝基研磨复合粉，其成分和粒度分布完全平替日本FUJIMI FO
海旭磨料氧化铝基研发复合粉化成成分第三方检测报告
海旭磨氧化铝基研磨复合粉粒度分布与FUJIMI FO 对比表
